报 告 人：赵新为 东京理科大学

报告时间：2024年3月9日10：30-12:00

报告地点：云鼎国际4118welcome报告厅（2144）

报告人简介：

   赵新为，教授，博士生导师。东京理科大学教授，天津市特聘讲座教授，东南大学特聘教授。1982年天津大学电子工程系半导体物理与器件专业毕业，同年作为清华大学代招国家首批出国研究生，学习日语后赴日留学。1985年获东京大学电子工学硕士学位，1988年获东京大学电子工学博士学位。现任东京理科大学理学部物理学科教授、博导。专业领域为半导体纳米材料与器件、半导体光电、新能源与固态离子电池。在国际重要期刊上已发表论文200余篇，著有《低维量子器件物理》等专著。多家专业杂志编委，国际学会组委。同时担任教育部长江学者评审专家、教育部春晖计划支援西部活动代表。日本物理学会、应用物理学会、美国材料学会，中国物理学会等会员。

报告摘要：

本次报告选择 Sm 作为发光中心，宽禁带半导体的 TiO₂ 可以作为 Sm³⁺ 离子发光的窗口，最大限度的利用Sm离子的发光。通过脉冲激光溅积法和后退火工艺制备单相锐钛矿型TiO₂：Sm薄膜。可以发现存在一个清晰的退火温度窗口，在这个范围内Sm原子的结晶配位场由O离子6配位变成4+2配位；发光窗口之间，高阻的TiO₂的电子浓度提高了2个数量级，形成一个室温下可进行电注入的n型半导体材料；利用700^oC的最佳退火温度，制备n⁺-ITO/TiO₂：Sm/p-NiO/p⁺-Si异质结LED，将LED的发光光谱与PL和电致发光测量结果进行了比较，证明在不同激发条件下，单一Sm³⁺发光中心会产生相同的红色辐射，在室温和较低阈值电压下实现红光LED的制备。

   热忱欢迎广大师生参加！